igbt管的结构与工作原理(图)

IGBT管是一种三端晶体管，由晶体管和MOSFET管的优点结合而成。它的结构如下图所示：


IGBT管的结构包括PN结、N+区、P+区、漂移区和栅极。其中，PN结是IGBT管的主结构，它由P型半导体和N型半导体组成。N+区和P+区是为了降低PN结的电阻而形成的。漂移区是PN结和N+区之间的区域，它的宽度决定了IGBT管的电压承受能力。栅极是IGBT管的控制端，通过在栅极上施加电压来控制PN结的导通和截止。

IGBT管的工作原理如下图所示：


当栅极电压为零时，PN结处于截止状态，IGBT管不导电。当栅极电压为正时，栅极和N+区之间会形成一个电子空穴层，使得PN结处于导通状态，IGBT管导电。当栅极电压为负时，栅极和N+区之间会形成一个电子层，使得PN结处于截止状态，IGBT管不导电。

因此，通过控制栅极电压的正负来控制IGBT管的导通和截止，从而实现对电路的控制。IGBT管具有低导通电阻、高电压承受能力、快速开关速度等优点，被广泛应用于电力电子领域。